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1A 30V Aufputz-Schottky-Gleichrichter
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1A 30V Aufputz-Schottky-Gleichrichter

    Minimum der Bestellmenge: 10 Bag/Bags

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Basisinformation

Modell: 1N5818W-AT

Kapselungsstruktur: Andere

Anwendung: Elektronische Produkte

Zertifizierung: RoHS, CE, ISO

Leuchtstärke: Standard

Farbe: Andere

Struktur: Planar

Material: Silizium

Additional Info

Verpakung: T / R

Produktivität: 10KK/M

Marke: agertech

Transport: Ocean

Ort Von Zukunft: China

Versorgungsmaterial-Fähigkeit: formal

Zertifikate : ISO9001,ISO16949,ISO14001,ISO18001,QC080000

HS-Code: 8541100000

Hafen: Shenzhen Shekou

Produktbeschreibung

1N5818W-AT ist eine herkömmliche 1A 20V-Schottky-Gleichrichterröhre, die in SOD123FL-Kunststoff verpackt ist. Der Aufbau und die Eigenschaften der Schottky-Diode machen sie zur Hochfrequenzgleichrichtung bei niedriger Spannung, hoher Stromabgabe usw. bei hoher Frequenz geeignet. Zum Erkennen und Mischen werden Schottky-Dioden als Klemmen in Hochgeschwindigkeits-Logikschaltungen verwendet. Schottky-Dioden werden auch häufig in ICs verwendet und sind auch in Hochgeschwindigkeitscomputern weit verbreitet.



Absolute maximale Bewertungen und Eigenschaften

Nennwerte bei 25 ℃ Umgebungstemperatur, sofern nicht anders angegeben, Einphasen-, Halbwellen-, ohmsche oder induktive Last. Bei kapazitiver Last um 20% verringern

Parameter

Symbols

1N5817W-AT

1N5818W-AT

1N5819W -AT

Units

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

VRRM

20

30

40

V

Maximum RMS Voltage

VRMS

14

21

28

V

Maximum DC Blocking Voltage

VDC

20

30

40

V

Maximum Average Forward Rectified Current

IF(AV)

1

A

Peak Forward Surge Current 8.3 ms Single Half Sine Wave

Superimposed on Rated Load(JEDEC methode)

IFSM

25

A

Maximum Instantaneous Forward Voltage at IF = 1 A

at IF = 3 A

VF

0.45

0.75

0.55

0.875

0.6

0.9

 

V

Maximum Instantaneous Reverse Current at TA = 25

Rated DC Blocking Voltage 1) TA = 100

IR

0.5

10

mA

Typical Junction Capacitance 2)

CJ

110

pF

Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient 3)

RθJA

75

/W

Operating Junction Temperature Range

Tj

- 55 to + 125

Storage Temperature Range

Tstg

- 55 to + 150

1) Impulstest: 300 µs Impulsbreite, 1% Einschaltdauer

2) Gemessen bei 1 MHz und einer Sperrspannung von 4 V

3) Wärmewiderstandsübergang zu 6 x 6 mm (0,24 "x 0,24") Kupferkontaktstellen an jedem Anschluss

Schottky Barrier Rectifier Diode


Produktgruppe : Schottky Diode

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