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20 V 4 A SOT-23 P-MOS
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20 V 4 A SOT-23 P-MOS

    Zahlungsart: T/T
    Incoterm: FOB
    Minimum der Bestellmenge: 10 Roll
    Lieferzeit: 20 Tage

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Basisinformation

Modell: ATM2301APSA

Zertifizierung: RoHS, CE, ISO

Gestalten: Andere

Abschirmung Typ: Andere

Kühlmethode: Natürlich gekühlte Tube

Funktion: Schalter Transistor

Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz

Struktur: Planar

Kapselungsstruktur: Chip-Transistor

Leistungspegel: Kleine Macht

Material: Silizium

Additional Info

Verpakung: T / R

Produktivität: 2KK/M

Marke: agertech

Transport: Ocean

Ort Von Zukunft: China

Versorgungsmaterial-Fähigkeit: formal

Zertifikate : ISO9001,ISO16949,ISO14001,ISO18001,QC080000

HS-Code: 8541100000

Hafen: Shenzhen Shekou

Produktbeschreibung

ATM2301APSA ist ein P-Kanal-Feldeffekttransistor mit verbessertem Modus im SOT23-Gehäuse. Die Drain-Source-Spannung: -20V und der Drain-Strom: -4A. Das Hauptmerkmal der ATM2301APSA ist Trench - FET - Leistungs MOSFE, ausgezeichneter RDS (on) und Low Gate - Ladung, R DS (ON) <90mΩ (VGS = -4,5 V) und R DS (ON) <110mΩ (VGS = -2,5 V). Die Hauptanwendung ist DC / DC-Wandler, Lastschalter für tragbare Geräte, Batterieschalter.


Absolute Maximalwerte (Ta = 25 ℃, sofern nicht anders angegeben)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

VDS

-20

V

Gate-Source Voltage

VGS

±12

V

Continuous Drain Current

ID

-4

A

Pulsed Drain Current

IDM

-16

A

Power Dissipation

PD

0.83

W

Thermal Resistance from Junction to Ambient

RθJA

357

/W

Junction Temperature

TJ

150

Storage Temperature

TSTG

-55~ +150


Elektrische Eigenschaften (T A = 25 o C, sofern nicht anders angegeben notiert)

Parameter

Symbol

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Unit

Static Characteristics

Drain-source breakdown voltage

V(BR)DSS

VGS = 0V, ID =-250µA

-20



V

Zero gate voltage drain current

IDSS

VDS  =-16V,VGS  = 0V



-1

µA

Gate-body leakage current

IGSS

VGS  =±12V, VDS  = 0V



±100

nA

Gate threshold voltage

VGS(th)

VDS =VGS, ID =-250µA

-0.5

-0.7

-1

V

Drain-source on-resistance1)

RDS(on)

VGS = -4.5V, ID = -0.5A


70

90

mΩ

VGS  = -2.5V, ID = -0.5A


90

110

Forward transconductance1)

gFS

VDS  =-5V, ID =-2A

5



S

Dynamic characteristics2)

Input Capacitance

Ciss

 

VDS  =-10V,VGS  =0V,f =1MHz


405


pF

Output Capacitance

Coss


75


Reverse Transfer Capacitance

Crss


55


Gate resistance

Rg

f =1MHz


6


Total Gate Charge

Qg

 

VDS =-10V,VGS =-2.5V,ID=-3A


3.3

12

nC

Gate-Source Charge

Qgs


0.7


Gate-Drain Charge

Qgd


1.3


Turn-on delay time

td(on)

 

VDD=-10V,VGEN=-4.5V,ID=-1A RL=10Ω,RGEN=1Ω


11


ns

Turn-on rise time

tr


35


Turn-off delay time

td(off)


30


Turn-off fall time

tf


10


Source-Drain Diode characteristics

Diode Forward voltage

VDS

VGS  =0V, IS=-1.25A


-0.7

-1.3

V



Anmerkungen:

1) Impulstest : Impulsbreite <300µs, Duty Cycle ≤2%.

2) Konstruktionsgarantiert, nicht produktionspflichtig testen.

Field Effect Transistor






Produktgruppe : P Channel Mosfet

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